Die 870 QVO von Samsung, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation, ist ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.
Allgemein
Ger?tetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschl?sselung
Ja
Verschl?sselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Quad-Level Cell (QLC)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Leistung
Interner Datendurchsatz
560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
11000 IOPS
4 KB Random Write
35000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
98000 IOPS
Zuverl?ssigkeit
Erweiterung und Konnektivit?t
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
3.3 Watt (Durchschnitt)
5.5 Watt (Maximum)
0.045 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 ?C
Max. Betriebstemperatur
70 ?C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms